[发明专利]一种降低聚碳硅烷黏度工艺提升碳/陶复合材料致密度的方法有效

专利信息
申请号: 202011127058.4 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112194498B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 刘旭 申请(专利权)人: 刘旭
主分类号: C04B35/84 分类号: C04B35/84;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种降低聚碳硅烷黏度工艺提升碳/陶复合材料致密度的方法,它涉及碳/陶复合材料领域,本发明的目的是要解决现有技术中外加有机溶剂毒性大,升温耗费能源、PCS出现缓慢固化现象从而导致制备出的碳/陶材料性能存在缺陷的问题。本发明的方法为:一、称量;二、制备均匀混合液;三、均匀混合液的浸渍;四、挥发丙酮。本发明操作简便,且可以使聚碳硅烷黏度由243.0mpas降至6.0mpas,降低两个数量级,同时可以大幅度降低PCS后续固化‑裂解进程中产生的孔隙率,减小孔隙直径。本发明用于制备高致密度的碳/陶复合材料。
搜索关键词: 一种 降低 硅烷 黏度 工艺 提升 复合材料 致密 方法
【主权项】:
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