[发明专利]一种沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 202011106813.0 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111933574B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陶磊;王厚有;冯永波;蔡明洋;陈文俊 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽的形成方法，提供一衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区；在所述衬底上依次形成第一氧化层和第一硬掩膜层；进行第一干法刻蚀工艺，在所述像素区的所述衬底上形成第一沟槽，所述第一沟槽包括第一开口和第二开口，所述第一开口贯穿所述第一氧化层和所述第一硬掩膜层，所述第二开口为所述第一开口在所述衬底中的延伸；在所述第一沟槽内形成第一沟槽阻挡结构；进行第二干法刻蚀工艺，刻蚀所述第一沟槽阻挡结构和所述逻辑区上的第一硬掩膜层，形成第三开口和第四开口；进行第三干法刻蚀工艺，所述第三开口向下延伸形成第五开口，所述第四开口向下延伸至所述衬底中，以形成第二沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
