[发明专利]SRAM的存储单元结构及阵列结构在审
| 申请号： | 202011083820.3 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112201288A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周晓君 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM的存储单元结构，包括：主体电路，写端口电路和读端口电路；主体电路包括一对互为反相且互相锁存的第一存储节点和第二存储节点；读端口电路包括第一MOS晶体管，第一MOS晶体管的栅极连接第一和第二存储节点中的一个，第一MOS晶体管的两个源漏区分别连接读位线和读字线；在读操作过程中，读位线为低电平，读字线为高电平；在写操作和待机的过程中，读位线和读字线都保持为低电平。本发明还公开了一种SRAM的阵列结构。本发明能提高SRAM的静态噪声容限和写入余量，同时减少电路面积。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 结构 阵列 | ||
【主权项】：
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