[发明专利]制造光传感器的方法在审
| 申请号： | 202011083708.X | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112786710A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 全祐奭;金洸炫;河宪植 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 赵嫦;康泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造光传感器的方法包括：在基板上形成第一导电层，第一导电层包括金属层和形成在金属层上的透明导电氧化物层；在第一导电层上形成光电导层；在光电导层上形成第二导电层；在第二导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层以形成第二电极；使第一光致抗蚀剂图案变形以形成第二光致抗蚀剂图案；以及使用第二光致抗蚀剂图案分别蚀刻光电导层和第一导电层，以形成光电导图案和第一电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 传感器 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011083708.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
