[发明专利]一种自参考存储结构和存算一体电路有效
| 申请号： | 202011077197.0 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112382319B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 邢国忠;林淮;刘宇;张凯平;张康玮;吕杭炳;谢常青;刘琦;李泠;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种自参考存储结构及存算一体电路，该自参考存储结构，包括：三个晶体管，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管；两个磁隧道结，包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结；所述第一磁隧道结串联于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间；所述第二磁隧道结串联于所述第二晶体管与所述第三晶体管之间；在开启第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管时，实现一位二进制信息的写入；在实现数据存储时，只需要施加单向电流即可实现一位二进制的写入，且器件在写入过程中延时低、功耗小，数据读取裕度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 参考 存储 结构 一体 电路 | ||
【主权项】：
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