[发明专利]一种PN结栅控氧化镓场效应晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202011070642.0 | 申请日： | 2020-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN112164724A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 周弘;雷维娜;周昕;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种PN结栅控氧化镓场效应晶体管及其制备方法，主要解决目前氧化镓材料有效p型掺杂及氧化镓基器件的双极结构缺失问题。其自下而上包括:绝缘衬底、n型β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 pn 结栅控 氧化 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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