[发明专利]设计方法在审
| 申请号： | 202011062989.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114330181A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 翁坤 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种设计方法，应用于多个预设电容单元组成的电容阵列，预设电容单元包括多个单元电容，包括：获取预设电容单元的单元仿真模型；基于电容阵列中预设电容单元的排布方式，以及各预设电容单元的单元仿真模型，获取电容阵列的第一仿真模型；基于预设电容单元的排布方式，获取预设电容单元的排布方向，并建立在相同排布方向上的一组预设电容单元的寄生电阻等效测试结构；基于寄生电阻等效测试结构，获得各预设电容单元的寄生电阻；基于各预设电容单元的寄生电阻以及第一仿真模型，建立表征电容阵列的第二仿真模型；本发明实施例提供一种精确的电容器件模型，以提高半导体存储器的仿真结果的准确性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 方法 | ||
【主权项】：
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