[发明专利]一种十字岛梁膜高温微压传感器芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202011061201.4 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112284605B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李村;杨鑫婉;赵玉龙;郝乐;张凯 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06;G01L19/06;B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种十字岛梁膜高温微压传感器芯片及制备方法，传感器芯片包括基底中部的薄膜，薄膜上加工有一个根部变窄十字型梁，梁根部与基底相连，梁根部布置压敏浮雕电阻条，四个压敏浮雕电阻条通过五个P型重掺杂硅浮雕块连接成半开环惠斯顿电桥，薄膜下面中间有一个十字型质量块；制备方法是对SOI硅片掺杂刻蚀成压敏浮雕电阻条和P型重掺杂硅浮雕块，然后制作根部变窄十字型梁，并将硅片与玻璃正面真空键合，最后制作传感器的背腔十字型质量块；本发明根部变窄十字型梁和十字型质量块的引入提高了整体的刚度，集中了应力，具有耐高温、高线性度、高灵敏度、高动态等特点，且便于加工、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 十字 岛梁膜 高温 传感器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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