[发明专利]一种用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物及其制备方法在审
| 申请号： | 202011055094.4 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112175525A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 宋伟红;蔡庆东 | 申请（专利权）人： | 常州时创新材料有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 苏州曼博专利代理事务所(普通合伙) 32436 | 代理人： | 宋俊华 |
| 地址： | 213300 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，通过如下方法制备：将分散剂、缓蚀剂、润湿剂、有机溶剂、氧化剂在搅拌下依次加入磨料，再加入消泡剂，再用pH调节剂调整溶液的pH值。本发明抛光组合物，可用于铜互连阻挡层的化学机械抛光，抛光后表面污染物颗粒、表面蝶形凹陷以及金属的腐蚀均得到有效控制，可满足28纳米及以下工艺的要求，具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 ic 阻挡 cmp 抛光 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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