[发明专利]一种用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物及其制备方法

权利要求书

1.一种用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：

分散剂 0.01％～0.5％，

缓蚀剂 0.01％～0.5％，

润湿剂 0.005％～0.5％，

有机溶剂 1％～20％，

氧化剂 0.01％～1％，

磨料 5％～20％，

消泡剂 0.01％～0.1％，

余量为去离子水。

2.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述分散剂为氧化石墨烯，比表面为1000-3000m²/g。

3.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述缓蚀剂为唑类化合物和植酸或植酸衍生物的混合物。

4.根据权利要求3所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述唑类化合物选自脂环类三唑化合物或芳环类三唑化合物。

5.根据权利要求4所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述脂环类三唑化合物的通式如下：

其中，R1和R2分别为烃基、芳香基、巯基、羧基、氨基或羟基。

6.根据权利要求4所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述芳环类三唑化合物的通式如下：

其中，R1和R2分别为甲基、乙基、羧基、氨基或巯基。

7.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述润湿剂为炔二醇聚醚类化合物。

8.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述润湿剂为炔二醇聚氧乙烯、炔二醇聚氧丙烯或炔二醇聚氧丙烯聚氧乙烯化物。

9.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述润湿剂为2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚。

10.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述有机溶剂为二元醇醚类有机溶剂。

11.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述有机溶剂选自乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚，丙二醇甲醚、丙二醇乙醚、二乙二醇丁醚中的一种或几种。

12.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述氧化剂选自过氧化物、过流化物、卤酸、高卤酸类、硝基化合物。

13.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述氧化剂选自高氯酸、高氯酸钾、高氯酸钾、氯酸钾、氯酸钠、高碘酸、高碘酸钾、高碘酸钠、碘酸、碘酸钾、过氧化氢、臭氧、过硫酸钾、过硫酸铵、过硫酸钠、硝酸钾、硝酸钠、硝酸铵中的一种或几种。

14.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述磨料为二氧化硅，磨料为球形或纺锤形，粒度在10～100nm。

15.根据权利要求1所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物，其特征在于，所述消泡剂为改性的聚硅氧烷消泡剂。

16.权利要求1至15所述用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物的制备方法，其特征在于，将分散剂、缓蚀剂、润湿剂、有机溶剂、氧化剂在搅拌条件下依次加入磨料中，再加入消泡剂，再用pH调节剂将溶液的pH值调至2～5。

17.根据权利要求16所述的用于IC铜阻挡层CMP的抛光组合物的制备方法，其特征在于，所述pH调节剂为柠檬酸或稀硝酸。