[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 202011019947.9 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN111933567B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 林子荏;杨智强;林政纬;林祐丞 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 夏苗苗 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法。所述制造方法包括：于一衬底上形成一硬式掩膜层，并刻蚀形成浅沟槽，所述硬式掩膜层包括垫氧化层和位于所述垫氧化层上的垫氮化层；于所述浅沟槽内和所述硬式掩膜层上形成一阻挡层；使用第一干刻蚀制程刻蚀所述阻挡层的一部分，直至停止在所述垫氮化层；使用第二干刻蚀制程以纵向和侧向刻蚀所述硬式掩膜层及剩余阻挡层的一部分，直至停止在所述衬底上，而形成带有圆角的浅沟槽，所述第二干刻蚀制程采用的偏置功率为0~98W；使用第三干刻蚀制程移除所述带有圆角的浅沟槽中剩余的阻挡层。基于本发明保证了优异的侧向刻蚀效率及避免了对硅的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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