[发明专利]一种基于多孔硅的硅基叉指电极及其制造方法有效
| 申请号： | 202011018829.6 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112255287B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 钟福如;杨艳军;黄成强 | 申请（专利权）人： | 遵义师范学院 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;C01B33/021;C01B33/113;C25F3/12;C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司： | 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 | 代理人： | 郭璐 |
| 地址： | 563006 贵州省遵义市*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于多孔硅的硅基叉指电极及其制造方法，所述硅基叉指电极包括硅衬底、多孔硅层、金微带叉指电极、氧化硅层以及输入/输出接口，所述多孔硅层位于所述硅衬底的上方，且所述多孔硅层与所述金微带叉指电极形态相匹配；所述氧化硅层位于所述多孔硅层和所述金微带叉指电极之间，所述金微带叉指电极的两端设有输入/输出接口。本发明中通过采用普通低电阻P型硅为衬底，可以有效降低器件制备成本，此外，所制备的多孔硅结构可以显著的提高器件的表面粗糙度和面表比，从而提高电极的电学性能；同时还降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多孔 硅基叉指 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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