[发明专利]一种碳包覆硅基负极材料及其制备方法有效
申请号: | 202011015404.X | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN112164779B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 唐唯佳;杨乐之;涂飞跃;方自力;陈文强;封青阁;陈涛;覃事彪 | 申请(专利权)人: | 长沙矿冶研究院有限责任公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/42 |
代理公司: | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人: | 毛志杰 |
地址: | 410000 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种碳包覆硅基负极材料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:将锂源和硅源混合均匀,在惰性气氛下升温进行预锂化反应,然后加入有机碳源,继续升温进行高温煅烧,预锂化反应至高温煅烧的过程中不出现降温,得到碳包覆硅基负极材料。本发明的制备方法,有效缓解硅的膨胀,后续通过在硅酸锂的表面包覆碳层,提高了硅酸锂的导电性,同时还可以避免锂或锂合金与水接触产生的安全隐患。采用本发明的方法制得的碳包覆硅基负极材料,具有容量高、首次充放电效率高、能量密度高且循环性能优异的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳包覆硅基 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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