[发明专利]一种高发光纯度的二维钙钛矿单晶的制备方法

摘要

本发明公开了一种高发光纯度的二维钙钛矿单晶的制备方法，本发明在溶液降温法中引入水热技术制备(BA)2PbI4单晶。由于水热釜内部各处温度均匀，可以消除晶体内、外部的温度差；(BA)2PbI4单晶在生长过程由于承受气体压力，BA有机阳离子倾向于进行有序排布，避免了阳离子的堆积，从而消除了二维(BA)2PbI4单晶的双光致发光现象，提高了其发光纯度。本发明采用水热辅助的溶液降温法制备的(BA)2PbI4晶体为层状片体单晶。[PbI6]4‑八面体的结构为正交晶体结构。相较于现有技术（溶液降温法）制备的(BA)2PbI4晶体，本发明制备的样品发光纯度得到了明显的提高。