[发明专利]一种基于宽带隙半导体器件的光电高功率微波放大方法有效
| 申请号： | 202010996870.4 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112117976B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 杨汉武;赵昱鑫;荀涛;王朗宁;楚旭;朱效庆;王日品 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H03F3/26 | 分类号： | H03F3/26 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 陈晖 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于宽带隙半导体器件的光电高功率微波放大方法，目的是解决现有放大电路输出功率低、放大效率低的问题。技术方案是先构建由两个电源、两个脉冲形成器件、两个宽带隙半导体器件、两个限流电阻、负载电阻和接地端组成基于宽带隙半导体器件的B类推挽式放大电路；两路激光脉冲与两个直流电源产生的电压同时作用于放大电路中的2个宽带隙半导体器件；2个宽带隙半导体器件在光电信号激励下作为光控可变电阻工作，其导通电阻随高能脉冲簇激光的光强成线性变化，使得输出的电流和光强呈正比例变化，使得光电微波放大。本发明放大电路结构简单，工作电压高，微波输出功率高，既消除了单极性限制，又有效解决了输出功率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 宽带 半导体器件 光电 功率 微波 放大 方法 | ||
【主权项】：
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