[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010988980.6 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112103767B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张宇晖;王涛;刘朝明 | 申请（专利权）人： | 因林光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：形成InP系外延结构，InP系外延结构包括层叠设置的InP衬底、n型上DBR层、有源区及波导层和第一p型下DBR层；形成GaAs系外延结构，GaAs系外延结构包括层叠设置的p型GaAs衬底以及第二p型下DBR层；键合第一p型下DBR层和第二p型下DBR层；去除InP衬底，露出n型上DBR层；图案化n型上DBR层以形成多个n型上DBR单元；在有源区及波导层靠近n型上DBR层的一侧形成限流层，限流层与n型上DBR单元同层设置；形成多个环形电极和背电极，并在环形电极围成的区域内形成介质DBR层，以形成垂直腔面发射激光器晶圆，切割晶圆以形成多个垂直腔面发射激光器。该制备方法可以提高成品率和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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