[发明专利]曝光方法及装置、物品制造方法和制造半导体设备的方法在审
| 申请号： | 202010986282.2 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112526829A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 山本哲也 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 宋岩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了曝光方法及装置、物品制造方法和制造半导体设备的方法。提供了一种执行经由投影光学系统曝光基板的曝光操作的曝光方法。该方法包括在执行曝光操作的曝光时段中执行投影光学系统的像差校正以校正通过执行曝光操作而生成的像差，在曝光时段之后的不执行曝光操作的非曝光时段中测量投影光学系统的像差，并使用基于测量结果调整的校正量来校正投影光学系统的像差，以便减小投影光学系统的像差校正中的校正残差。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 装置 物品 制造 半导体设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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