[发明专利]片上电容电路及基于片上电容电路的低噪声晶体振荡器在审
| 申请号： | 202010974001.1 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN114142809A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李征 | 申请（专利权）人： | 上海富芮坤微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03H3/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 徐秋平 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种片上电容电路及基于片上电容电路的低噪声晶体振荡器，所述片上电容电路包括：第一片上电容阵列单元，与片外晶体的输入端连接；第二片上电容阵列单元，与所述片外晶体的输出端连接；低噪声电源产生模块，分别与所述第一片上电容阵列单元和第二片上电容阵列单元连接。本发明中所述低噪声电源产生模块向所述第一片上电容阵列单元和第二片上电容阵列单元独立提供低噪声电源，同时在第一片上电容阵列单元和第二片上电容阵列单元的各个开关MOS管的栅极加上滤波电容，并在片上电容阵列中采用部分固定电容结构，从而使片上电容晶体振荡器的相位噪声性能得到了显著的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 电路 基于 噪声 晶体振荡器 | ||
【主权项】：
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