[发明专利]一种伪差分结构低噪声高线性跨阻放大器电路及芯片有效
| 申请号： | 202010961532.7 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112073012B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陈莹梅;李林;王蓉 | 申请（专利权）人： | 东南大学;网络通信与安全紫金山实验室 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/26 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 薛雨妍 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种伪差分结构低噪声高线性跨阻放大器电路，通过利用为后级主放大器提供直流偏置的辅助跨阻放大器，将射极相连实现伪差分结构的跨阻放大器。引入射极退化电阻，实现输出直流电压抬高的同时，提高开环增益的线性度，同时对闭环增益的线性度也进行一定的优化。该结构利用辅助跨阻放大器提供一定的增益，将辅助跨阻放大器的反馈电阻降低后，有效抑制辅助跨阻放大器的噪声。辅助跨阻放大器的主次极点与主跨阻放大器的主次极点相同，因此与传统结构相比不改变放大器的等效二阶系统的响应形式。采用PAM4信号调制方式时，该跨阻放大器具有低噪声、高线性、高带宽、高增益和高输出直流电压等特点，经过55nm BiCMOS工艺验证，最大工作速率可达56Gbaud/s。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 伪差分 结构 噪声 线性 放大器 电路 芯片 | ||
【主权项】：
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