[发明专利]具有复制路径的穿硅通孔检查电路在审
申请号: | 202010952553.2 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN112530502A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 真壁晴空 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C29/02 | 分类号: | G11C29/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案涉及具有复制路径的TSV检查电路。本文中揭示一种设备,其包含:第一半导体芯片;第一TSV及第二TSV,其穿透所述第一半导体芯片;第一路径,其包含所述第一TSV;第二路径,其包含所述第二TSV;第一充电电路,其经配置以对所述第一路径进行充电;第二充电电路,其经配置以对所述第二路径进行充电;第一放电电路,其经配置以对所述第一路径进行放电;第二放电电路,其经配置以对所述第二路径进行放电;及比较器电路,其经配置以将所述第一路径的电位与所述第二路径的电位进行比较。 | ||
搜索关键词: | 具有 复制 路径 穿硅通孔 检查 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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