[发明专利]用于在两个连接配对件之间形成连接的方法和用于监测连接过程的方法在审
| 申请号： | 202010944741.0 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112490139A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | S·诺德霍夫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在两个连接配对件(10、20)之间形成连接的方法包括：在第一连接配对件(10)的第一表面上形成预连接层(32)，其中，预连接层(32)包括一定量的液体；执行预连接过程，从而从预连接层(32)去除液体；在执行预连接过程的同时执行光度测量，其中，执行光度测量包括确定预连接层(32)的至少一个光度参数，其中，至少一个光度参数根据预连接层(32)的流体含量而改变；以及不断地评估至少一个光度参数，其中，当检测到至少一个光度参数在期望的范围内时，终止预连接过程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 两个 连接 配对 之间 形成 方法 监测 过程 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
