[发明专利]一种铜填充硅通孔电迁移测试结构制备方法及测试方法在审
| 申请号： | 202010942379.3 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN112255526A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 邢朝洋;赵雪薇;李男男;朱政强;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 北京航天控制仪器研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 徐晓艳 |
| 地址： | 100854 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铜填充硅通孔电迁移测试结构制备方法及测试方法，该方法将具有TSV菊花链测试结构的测试芯片，通过贴片胶及键合金丝连接至印制电路板；对载有测试芯片的印制电路板进行冷镶嵌，并通过磨抛获得TSV菊花链结构横截面，完成测试结构的制备；将测试结构放入管式炉中，向管式炉内通入保护气体；通过导线连接印制电路板的焊盘与直流电源，使测试结构处于通电状态，通过控制两端导线与电源连接的正负极来控制电流方向，通过控制通电电流的大小及TSV直径来控制电流密度，获得具有特定电流方向及特定电流密度的电流；测试期望通过对电流作用下铜填充TSV的显微组织演变行为进行表征，最终达到深入评价电流作用下铜填充TSV电迁移可靠性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 填充 硅通孔电 迁移 测试 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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