[发明专利]半导体器件的焊盘制造方法及半导体器件制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的焊盘制造方法及半导体器件制造方法，在对具有聚合物感光保护层的钝化层进行刻蚀时，采用含氟气体进行干法刻蚀，并且选用与聚合物感光保护层发生较少或者不发生聚合反应的气体，例如NF3/SF6，由此使得较少的含氟聚合物残留在金属焊盘的表面，进而控制产生较少的刻蚀副产物(例如氟氧化物)，对金属焊盘表面的少量刻蚀副产物进行还原，形成容易被去除的氟氧化物，然后用酸液将该可溶于酸的氟氧化物去除，得到表面清洁的金属焊盘。上述方法能够消除金属焊盘表面的晶体缺陷，保证后续器件的产品率。另外，上述方法实施过程简单、易操作，有利于降低生产成品。