[发明专利]p型透明导电SnO2有效

专利信息
申请号: 202010934605.3 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN112210755B 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 何云斌;黎明锴;付旺;叶盼;刘博涵;肖兴林;魏浩然;尹魏玲;卢寅梅;常钢 申请(专利权)人: 湖北大学;武汉睿联智创光电有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 杨采良
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种p型透明导电SnO2半导体薄膜及其制备方法和应用,p型透明导电SnO2半导体薄膜的制备方法,包括:制备Mg掺杂的SnO2陶瓷靶材;提供一衬底,利用Mg掺杂的SnO2陶瓷靶材,在衬底表面制备得到Mg掺杂的SnO2薄膜;在氧气氛围下于600~800℃下对Mg掺杂的SnO2薄膜进行退火,即得p型透明导电SnO2半导体薄膜。本发明的p型透明导电SnO2半导体薄膜的制备方法,利用Mg2+进入替位和间隙位所需能量不同的特点,通过在适宜温度及富氧条件下进行退火处理将间隙Mg2+迁移到替位进一步提高载流子浓度,获得高质量p型透明导电SnO2超宽禁带半导体薄膜。
搜索关键词: 透明 导电 sno base sub
【主权项】:
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