[发明专利]一种以离子液为顶栅的薄层Bi2

摘要

本发明公开了一种Bi2O2Se晶体管器件的制备方法，根据该方法制备的器件是由离子液作为顶栅，直接在云母片上进行测试，不需要使用HF溶液刻蚀转移Bi2O2Se，减少了对Bi2O2Se的伤害，使用的方法简单，重复性好，对材料无伤害，本发明制备出的以离子液为顶栅的薄层Bi2O2Se晶体管器件可以扩展对Bi2O2Se的研究。