[发明专利]一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010911231.3 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112083470A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 黎淼;王巍;樊琦;赵汝法;霍军 | 申请（专利权）人： | 重庆中易智芯科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;G01T1/36;H01L31/08 |
| 代理公司： | 重庆启恒腾元专利代理事务所(普通合伙) 50232 | 代理人： | 黎志红 |
| 地址： | 404100*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明请求保护一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制备方法，其特征在于，从上至下依次包括：Au电极阴极电极层、高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层、双层氧化钒VOx材料层、Ti/Pt阳极电极层及Ti/Pt电极读出电极层，其中，当高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层接受辐射后产生感应电荷信号时，感应电荷信号在双层氧化钒VOx材料层的上下电极形成相应电场，所形成的电场随入射光子能量发生变化，氧化钒VOx材料层薄膜中的氧空位发生非永久性迁移，导致氧化钒VOx材料层相对厚度发生改变，使得Ti/Pt电极读出电极层读出的电阻值产生变化。本发明能够有效降低传统电荷灵敏前置放大电路的高成本及复杂度，同时能够有效提高信号传输链路的抗干扰性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 敏感 cdznte 辐射 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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