[发明专利]一种相变材料、相变存储单元及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010907768.2 申请日: 2020-09-02
公开(公告)号: CN112133824A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 宋志棠;宋三年;薛媛;王若冰 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 代理人: 魏峯;黄志达
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种相变材料、相变存储单元及其制备方法。该相变材料的化学式为TaaInbSbcTed。该单元包括下电极层,上电极层以及位于所述下电极层与所述上电极层之间的相变材料层。该单元的制备方法为:制备下电极层;制备相变材料层于下电极层上;制备上电极层于相变材料层上。该相变材料具有晶粒小、相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点。
搜索关键词: 一种 相变 材料 存储 单元 及其 制备 方法
【主权项】:
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