[发明专利]一种超导约瑟夫森结以及量子芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202010899167.1 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN114122247A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 赵勇杰 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于量子芯片技术领域，更具体地，涉及一种超导约瑟夫森结以及量子芯片的制备方法，包括：确定衬底上用于制备超导约瑟夫森结的第一区域，第一区域的形状与超导约瑟夫森结的轮廓形状一致；于第一区域上制备隔离层；于衬底上制备覆盖隔离层的图形层，且图形层上形成有与超导约瑟夫森结的轮廓形状一致的图形；以图形层为掩膜利用刻蚀介质刻蚀隔离层；以图形层为掩膜形成超导约瑟夫森结于第一区域。本发明提供的方案，有效解决图形层材料残留而影响到超导约瑟夫森结性能这一问题，保证了超导约瑟夫森结以及量子芯片的稳定性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 约瑟夫 以及 量子 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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