[发明专利]晶圆键合工艺中改善晶圆边缘形变的方法有效
| 申请号： | 202010896019.4 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112038220B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王绮梦 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一种晶圆键合工艺中改善晶圆边缘形变的方法通过采取调整键合步骤中的顶端的顶针力、真空吸盘的真空吸力以及两片晶圆的距离等方式，使得中心形成的键合波以同心圆的方式逐渐向两边扩散，消除或者减少现有技术导致的不是以同心圆的方式扩散就会造成晶圆边缘形变较大、产品质量差或者废品率高的问题，大大提高提高键合工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 工艺 改善 边缘 形变 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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