[发明专利]光伏级硅冶炼用氮化硅骨架增强石英基陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202010893743.1 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111960838B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王庆虎;刘俊;李亚伟;桑绍柏;徐义彪;朱天彬;梁雄;潘丽萍 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/14;C04B35/622;C04B35/626 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光伏级硅冶炼用氮化硅骨架增强石英基陶瓷及其制备方法。其技术方案是：将单质硅粉、氮化硅粉、丙烯酸与2‑丙烯酰胺‑2‑甲基丙磺酸共聚物、木质素磺酸铵和去离子水混合，搅拌，制得陶瓷料浆I；将聚氨酯海绵浸入陶瓷料浆I中，浸渍后挤压或甩浆，干燥后在氮气气氛烧成，制得三维氮化硅骨架；将熔融石英粉、氮化硅粉、乳酸、粘结剂和去离子水混合，球磨，制得陶瓷料浆II；将三维氮化硅骨架置于石膏模具中，再将陶瓷料浆II倒入石膏模具中，静置，脱模，干燥后在空气或惰性气氛中烧成，制得光伏级硅冶炼用氮化硅骨架增强石英基陶瓷。本发明所制制品的抗折强度高和高温形变小，光伏级硅冶炼中无需石墨护板，能有效避免光伏硅污染。 | ||
| 搜索关键词： | 光伏级硅 冶炼 氮化 骨架 增强 石英 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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