[发明专利]掩模制造方法在审
| 申请号： | 202010883215.8 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN113359387A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 金世一;李尚玟;金义圭;白大源 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/80 | 分类号： | G03F1/80;G03F1/76;G03F1/62;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 崔今花;周艳玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的一实施例，掩模制造方法包括：将掩模片配置在彼此隔开的第一辊及第二辊上的步骤，所述掩模片包括限定有第一区域及第二区域的图案区域；通过使所述第一辊及所述第二辊旋转以将所述图案区域配置在曝光模块上的步骤；通过所述曝光模块对所述第一区域执行第一曝光工序以在所述第一区域上形成第一图案的步骤；以及通过所述曝光模块对所述第二区域执行第二曝光工序以在所述第二区域上形成第二图案的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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