[发明专利]一种背接触式钙钛矿/硅异质结叠层电池组件及其制备方法和太阳能电池在审

专利信息
申请号: 202010881189.5 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN114203843A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 刘祖辉;陈龙;蒋方丹 申请(专利权)人: 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
主分类号: H01L31/043 分类号: H01L31/043;H01L31/074;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋
地址: 314000 浙江省嘉兴市秀*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种背接触式钙钛矿/硅异质结叠层电池组件及其制备方法和太阳能电池,所述背接触式钙钛矿/硅异质结叠层电池组件通过在硅异质结电池组件前表面设置透明导电层,并在所述透明导电层的前表面设置有呈叉指式交错分布的钙钛矿电子传输层和钙钛矿空穴传输层,实现钙钛矿电子传输层和钙钛矿空穴传输层的背接触设计,既可以避免正面电极的遮光损失,又能尽量消除顶部透明导电层对光的寄生吸收,提高了太阳能电池的转化效率。
搜索关键词: 一种 接触 式钙钛矿 硅异质结叠层 电池 组件 及其 制备 方法 太阳能电池
【主权项】:
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