[发明专利]一种背接触式钙钛矿/硅异质结叠层电池组件及其制备方法和太阳能电池在审
申请号: | 202010881189.5 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN114203843A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 刘祖辉;陈龙;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/043 | 分类号: | H01L31/043;H01L31/074;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种背接触式钙钛矿/硅异质结叠层电池组件及其制备方法和太阳能电池,所述背接触式钙钛矿/硅异质结叠层电池组件通过在硅异质结电池组件前表面设置透明导电层,并在所述透明导电层的前表面设置有呈叉指式交错分布的钙钛矿电子传输层和钙钛矿空穴传输层,实现钙钛矿电子传输层和钙钛矿空穴传输层的背接触设计,既可以避免正面电极的遮光损失,又能尽量消除顶部透明导电层对光的寄生吸收,提高了太阳能电池的转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 式钙钛矿 硅异质结叠层 电池 组件 及其 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴阿特斯技术研究院有限公司,未经嘉兴阿特斯技术研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010881189.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:摄像头模组及电子设备
- 下一篇:扫地机器人
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的