[发明专利]基于FPGA的SRAM存储器充放电效应测试系统及方法有效
| 申请号： | 202010879924.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112071357B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 路同山;苏京;徐骏;曹康丽;周博;李瑜婧;费涛;高冬冬;潘阳阳;刘刚 | 申请（专利权）人： | 南京航天航空大学;上海卫星装备研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于FPGA的SRAM存储器充放电效应测试系统及方法，包括：测试单元；所述测试单元包括：PC机、上位机、下位机、充放电效应模拟源、电磁屏蔽单元；所述电磁屏蔽单元包括：金属板、法拉第笼；所述PC机通过串口与上位机相连；所述上位机通过屏蔽线与下位机相连；所述下位机安放于模拟源环境中；所述PC机、上位机、电源系统安装于电磁屏蔽单元中。本发明首次提出SRAM存储器充放电效应测试方法，利用本发明所述的测试方法能够实现对SRAM存储器由充放电效应产生的故障进行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fpga sram 存储器 放电 效应 测试 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航天航空大学;上海卫星装备研究所，未经南京航天航空大学;上海卫星装备研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010879924.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
