[发明专利]一种基于激光孔阵原位生长TiO2 有效
申请号: | 202010872658.7 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN112626518B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 高岩;洪小哲;胡惠祥 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C23C26/00 | 分类号: | C23C26/00;C23F3/04;B23K26/0622;B23K26/70;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种基于激光孔阵原位生长TiO |
||
搜索关键词: | 一种 基于 激光 原位 生长 tio base sub | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010872658.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。