[发明专利]一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法有效
| 申请号： | 202010870763.7 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112071979B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李颖 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，将具有纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层插入氧化锆薄膜与电极之间。该格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，用以有效地提高氧空位浓度，进而有效地提高电阻存储器的阻变性能，解决阻变器件参数的波动性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 复合 电极 电阻 存储器 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010870763.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种冷却水泵加工设备
- 下一篇：一种基于虚拟曝光的单幅逆光图像增强方法
