[发明专利]一种ODS金属薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010869554.0 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112030125B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 赵帮磊;王乐;张立锋;王先平;郝汀;谢卓明;刘长松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;C04B35/622;C04B35/505;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 23003*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ODS金属薄膜材料的制备方法，即首次采用磁控溅射的方法，通过改变金属靶材的结构，在Ar气氛中将金属基复合靶材进行溅射、沉积，从而在基底上实现ODS弥散强化金属薄膜材料的制备。本发明的ODS金属薄膜制备方法一方面可有效克服传统粉末冶金等方法复杂的工艺过程和在制备过程中会出现氧化物团聚、分布不均、金属晶粒粗大等问题，另一方面可有效克服传统磁控溅射制备ODS薄膜中氧化物添加不可控，且需要双靶同时溅射等复杂工艺。实现具有纳米量级晶粒尺寸的ODS强化金属基薄膜的制备，实现了氧化物在金属基材料中均匀、可控地添加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ods 金属 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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