[发明专利]一种新型Vcsel的外延结构及其对应氧化孔径的测试方法有效
| 申请号： | 202010868764.8 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN112133643B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 尧舜;杨默;戴伟;张颜儒;王青;李军;张杨 | 申请（专利权）人： | 华芯半导体研究院（北京）有限公司;华芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 100020 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了测试垂直腔面发射激光器的氧化孔径的方法，通过传输矩阵法模拟/计算数据得到整个多层介质的透射系数和反射系数，从而得到模拟的外延结构，进行外延生长后再通过反射谱测试机得到生长后的外延层的白光反射图谱，进而调整得到氧化前后对比模拟/计算图，然后根据反射率差值较大的波段对应的波长，在观测台的下方设置滤光片或/和单色激光器，根据观测台上预先做的氧化标记处是否出现不同明暗度的成像，从而高效快速准确的判断氧化孔径是否达到所需尺寸。在N侧布拉格反射镜或P侧布拉格反射镜增加λ |
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| 搜索关键词： | 一种 新型 vcsel 外延 结构 及其 对应 氧化 孔径 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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