[发明专利]超级结器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010867039.9 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111986997A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件的制造方法，包括：步骤一、采用多晶硅栅填充栅极沟槽并进行第一次平坦化形成栅极结构；步骤二、对多晶硅栅进行回刻并在回刻形成的顶部凹陷中形成封闭层，步骤三、采用第二外延层填充超级结沟槽并进行第二次平坦化形成超级结。本发明能实现全平工艺，方便将沟槽栅工艺设置在超级结的形成工艺之前，能降低超级结形成之后的热过程，从而降低超级结的杂质互相扩散并从而提高器件性能，还能节约光罩，降低工艺成本；还能防止多晶硅栅掺杂外扩以及对栅氧化层进行保护，提高产品质量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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