[发明专利]一种三维导电MOF@MXene复合电极的原位制备方法有效
| 申请号： | 202010865111.4 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN112053861B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 曹澥宏;高鑫隆;施文慧;毋芳芳;阮鹏超 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/30;H01G11/24 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及复合材料的合成领域，针对MOF的导电性能差的问题，提供一种三维导电MOF@MXene复合电极的原位制备方法，包括以下步骤：在HF溶液中加入MAX相粉末刻蚀5‑24 h后，去离子水离心洗涤至上层溶液pH为6‑7，真空烘干得多层MXene粉末；均匀分散在去离子水中，加入氯乙酸后室温搅拌，再加入NaOH溶液，搅拌反应1‑12 h后离心洗涤，真空干燥得MXene‑COOH粉末；分散于去离子水中，依次加入金属盐、配体和氨水，50‑70℃鼓气搅拌反应，最后离心洗涤、烘干得三维导电MOF@MXene复合粉末。本发明工艺高效稳定、流程简单，制得的复合粉末能作为超电容电极材料，实现稳定高效储能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 导电 mof mxene 复合 电极 原位 制备 方法 | ||
【主权项】：
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