[发明专利]横向双扩散晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 202010864193.0 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111987165B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种横向双扩散晶体管的制造方法，包括：在衬底中形成漂移区；在漂移区表面形成栅氧化层和栅极导体层；在源端区域刻蚀栅极导体层和栅氧化层，注入形成体区；以光刻胶为掩模在体区内斜向注入形成第一类型注入区；在栅极导体层和体区表面形成第一阻挡层；经由第一阻挡层在第一类型注入区之间形成第二类型注入区；以及部分刻蚀第一阻挡层，暴露出第二类型注入区和部分第一类型注入区，形成第二阻挡层，以光刻胶为掩模斜向注入形成第一类型注入区，再分步刻蚀第一阻挡层，不仅可以缩小注入区尺寸，减小器件尺寸，有效降低源漏导通电阻，还能节省原料，节约成本，整个制造过程极大地简化了工艺步骤，降低了操作难度。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰华特微电子股份有限公司，未经杰华特微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010864193.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
