[发明专利]一种射频模组超薄堆叠方法有效
申请号: | 202010855288.6 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN111968943B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 莫炯炯;冯光建;顾毛毛;郭西;高群 | 申请(专利权)人: | 浙江集迈科微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/48;H01L23/46;H05K1/02;H05K3/30 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;夏苏娟 |
地址: | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种射频模组超薄堆叠方法,包括以下步骤:在硅片正面开空腔并嵌入芯片,填充缝隙,对硅片背面做减薄处理,形成超薄的硅片嵌入转接板,把多层嵌入芯片的硅片结构进行堆叠;在堆叠后的硅片正面制作TSV,填充金属,使TSV金属跟各层芯片的PAD互联,然后抛光堆叠后的硅片正面并制作RDL和正面焊盘;在堆叠后的硅片背面制作背面凹槽并嵌入射频芯片,填充缝隙,在射频芯片的正面做RDL和焊盘;在PCB表面焊接微流通道结构,在正面焊盘植球,通过贴片工艺使模组跟PCB互联,同时射频芯片跟微流通道结构互联,最后在射频芯片表面贴装无源芯片。本发明能大大减小射频模组的面积,并能最大限度的增加射频芯片的散热能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 模组 超薄 堆叠 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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