[发明专利]半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202010849467.9 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420817A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | H·布雷希;C·阿伦斯;M·齐格尔德伦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;姜冰 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件和方法。提供了一种半导体器件，其包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的复合层。复合层包括台面和第一绝缘层。台面具有顶表面、底表面和侧面，侧面嵌入在第一绝缘层中。台面包括基于III族氮化物的多层结构，基于III族氮化物的多层结构提供基于III族氮化物的器件，基于III族氮化物的器件具有被布置在台面的顶表面上的第一电极和第二电极，并且第一绝缘层由氧化物材料和/或氮化物材料形成。第一外部接触和第二外部接触定位在复合层的第二表面上。第一导电通孔延伸通过第一绝缘层并且被电耦合到台面的顶表面上的第一电极和第一外部接触。第二导电通孔延伸通过第一绝缘层并且被电耦合到台面的顶表面上的第二电极和第二外部接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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