[发明专利]半导体器件的阈值电压提取方法及装置有效
| 申请号： | 202010844599.2 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112067964B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王可为;卜建辉;黄杨;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的阈值电压提取方法及装置，应用于半导体建模领域，包括：测量获得目标SOI器件的Id‑Vg曲线；在Id‑Vg曲线上确定出第一跨导极大值电压位置的第一切线，以及第二跨导极大值电压位置的第二切线；确定第一切线与第二切线的交点位置电压值，并根据交点位置电压值确定出目标SOI器件的正栅阈值电压。通过本发明能提取到更接近真实值的正栅阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 阈值 电压 提取 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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