[发明专利]一种基于阵列型二元相位调制的哈特曼波前传感器有效
| 申请号： | 202010834584.8 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN111998962B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 赵孟孟;赵旺;王帅;杨平;鲍华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G01J9/00 | 分类号： | G01J9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于阵列型二元相位调制的哈特曼波前传感器，在微透镜阵列子孔径内引入了随机二元相位调制，形成二元相位调制阵列，光束通过阵列型二元相位调制微透镜阵列被分割后聚焦于光电探测器上，形成特殊的光斑阵列图像，最终根据调制后的光斑阵列图的强度分布，采用相位恢复算法复原波前。本发明通过一种具有阵列型二元相位调制元件，对子孔径内光束实施特殊的相位调制，降低了探测精度对高密度子孔径空间采样的依赖，提高了低子孔径密度哈特曼波前传感器的探测精度，有望用于暗弱波前探测、高精度波前探测等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 阵列 二元 相位 调制 哈特曼波前 传感器 | ||
【主权项】：
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