[发明专利]固溶体多铁薄膜、制备方法及应用于5G存储技术的电子器件在审
| 申请号： | 202010814984.2 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113248248A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 贾婷婷;胡芳;方伟;于淑会;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C04B35/40 | 分类号： | C04B35/40;C04B35/26;C04B35/622;C04B35/624;G11C11/14;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 诸炳彬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本申请涉及一种固溶体多铁薄膜、制备方法及包含该多铁薄膜的应用于5G存储技术的电子器件。薄膜为赝钙钛矿结构的复杂氧化物固溶体，化学式如下： |
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| 搜索关键词： | 固溶体 薄膜 制备 方法 应用于 存储 技术 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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