[发明专利]基于石墨烯/GaAs复合薄膜的高灵敏度近红外光电探测器的构筑方法及产品在审
| 申请号： | 202010796425.3 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112038447A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 崔大祥;蔡葆昉;王丹;金彩虹 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于石墨烯/GaAs复合薄膜的高灵敏度近红外光电探测器的构筑方法及其产品，通过设计石墨烯/GaAs复合结构、利用石墨烯/GaAs复合结构对近红外光的有效吸收，以及能高效分离光生激子和GaAs对石墨烯的掺杂效应，并控制器件预处理和退火温度以进行材料和界面优化，该类器件具备对近红外光快速响应和显著的灵敏度。该方法成功构筑了对近红外光响应迅速的基于石墨烯/GaAs复合薄膜的高灵敏度近红外光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 gaas 复合 薄膜 灵敏度 红外 光电 探测器 构筑 方法 产品 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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