[发明专利]纳米结构膜、其制备方法以及电子装置在审
申请号: | 202010795094.1 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN112341862A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 马克西姆·费奥多罗维奇·普罗达诺夫;瓦雷利·弗拉基米罗维奇·瓦先科;阿比谢克·库马尔·斯里瓦斯塔瓦;斯沃德什·库马尔·古普塔;康成彬;马克西姆·季亚科夫 | 申请(专利权)人: | 香港科技大学 |
主分类号: | C09D11/107 | 分类号: | C09D11/107;G02F1/1334;G02F1/1337;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 高钊;王静 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | 本发明涉及一种纳米结构膜、其制备方法以及电子装置。纳米结构膜包括:纳米结构层,该纳米结构层包含聚合物介质和用配体组合物改性的细长纳米结构体,其中所述配体组合物包含具有刚性主核和与刚性主核相连的侧链的T型配体(1),其中所述侧链与纳米结构体的表面结合,并且由于所述的T型配体的作用,所述细长纳米结构体的长轴的取向与聚合物分子在纳米结构层中的取向基本平行。根据本发明,配体组合物改性的细长纳米结构体在纳米结构膜内具有高浓度而不聚集并且保持高的取向有序性。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 制备 方法 以及 电子 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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