[发明专利]一种SHJ电池生产中不良返工方法有效
| 申请号： | 202010775191.4 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111900232B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 孙林;孟凡英;杜俊霖;刘正新;陈功兵;何堂贵 | 申请（专利权）人： | 中威新能源（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周孝湖 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种SHJ电池生产中不良返工方法，包括以下步骤：S1.将收集的不良电池片放入专门返工片清洗机，清洗掉硅片表面的薄膜：S1.1酸洗：用酸洗液对不良电池片清洗，所述酸洗液为盐酸溶液，或者盐酸溶液与氢氟酸溶液的混合液；S1.2漂洗：用纯水对经酸洗后的硅片进行漂洗，洗去硅片表面残留的酸洗洗液；S1.3 SC1液洗：用SC1液将S1.2所得硅片洗；S1.4漂洗：用纯水洗进行漂洗；S1.5烘干：在90℃进行烘干；S2.将经S1所得的硅片，进行重新制绒，制绒时，制绒辅助剂为正常制绒的用量的1‑2倍。本发明将不良电池片经过返工处理，返工后A级率95%，且所得电池片效率与正常相当，不良返工可实现规模化生产，提升整个生产的A级率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 shj 电池 生产 不良 返工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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