[发明专利]用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法有效
| 申请号： | 202010770895.2 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112592719B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张轶;刘世光;谭振;刘震宇;孙浩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 罗丹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法。用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液，包括：作为溶剂的水H2O、以及溶于所述H2O的溶质，溶质包括碘化钠NaI和氯化氢HCl。采用本发明，腐蚀液可以与CdTe在常温下发生化学反应，实现对碲镉汞表面的CdTe薄膜的常温腐蚀，整个反应过程速率慢、且无发热，可以实现对腐蚀度的精确控制，腐蚀液的配置简单且成分便宜、容易获取，大大降低了腐蚀成本，而且腐蚀后也容易清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 腐蚀 碲镉汞 表面 碲化镉 cdte 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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