[发明专利]一种准单晶电池片生产工艺在审
| 申请号： | 202010767287.6 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111883617A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李雪方;贾宇龙;郭卫;崔龙辉 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及准单晶电池片生产领域。一种准单晶电池片生产工艺，多晶硅电池片生产过程中采用单晶方式制绒、多晶方式扩散、多晶方式酸抛、多晶热氧钝化、多晶方式PECVD镀膜、多晶方式丝网印刷进行，其中，所述的单晶方式是指采用单晶设备生产，所述的多晶方式是指采用多晶设备生产。本发明在多晶方式扩散、多晶方式酸抛、多晶热氧钝化、多晶方式PECVD镀膜、多晶方式丝网印刷利用现有的多晶工艺生产设备，协调调整生产工艺，再结合采用单晶方式制绒，使得结果得到准单晶的转换效率能到20.06%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准单晶 电池 生产工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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